
納米位移臺(tái)微步長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行影響
納米位移臺(tái)在微步長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行時(shí),會(huì)受到機(jī)械、熱和控制因素的累積影響,可能導(dǎo)致定位精度下降和系統(tǒng)性能變化。
熱效應(yīng)累積
長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行會(huì)產(chǎn)生摩擦熱或驅(qū)動(dòng)器自發(fā)熱,導(dǎo)致結(jié)構(gòu)膨脹或傳感器漂移。
摩擦與磨損增加
微步持續(xù)運(yùn)動(dòng)增加接觸面磨損,可能引起間隙變化或爬行現(xiàn)象。
控制器積分或累積誤差
長(zhǎng)時(shí)間閉環(huán)運(yùn)行可能出現(xiàn)微小積分偏差,使位移反饋逐漸偏離目標(biāo)。
振動(dòng)敏感性增強(qiáng)
微小連續(xù)運(yùn)動(dòng)使系統(tǒng)對(duì)外界微振動(dòng)更敏感,可能放大微抖動(dòng)。
負(fù)載與慣性影響
長(zhǎng)時(shí)間微步運(yùn)動(dòng)下,載荷累積慣性效應(yīng),會(huì)造成微小位置漂移或響應(yīng)滯后。